| 品牌：西门康 | 型号：SKT1200/20E | 封装：模块 |
| 批号：18+,19+,20+ | 系列：赛米控可控硅 | 断态电压：按型号区分 |
| 栅极触发电压(Vgt)：按型号区分 | 栅极触发电流(Igt)：按型号区分 | 保持电流最大值(Ih)：按型号区分 |
| 正向重复电压(Vdrm)：按型号区分 | 反向重复电压(Vrrm)：按型号区分V | 通态电流最大值(It(RMS))：按型号区分 |
| 不重复浪涌电流(Itsm)：按型号区分 | 工作温度范围：按型号区分 | 安装类型：按型号区分 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 安防设备、 医疗电子、 新能源 |
代理经销赛米控模块/西门康晶闸管SKET400/18E-北京中兴博瑞
北京中兴博瑞科技有限公司经营范围：
英飞凌IGBT模块，三菱IGBT模块，西门康IGBT模块，西门康IPM智能模块，富士IGBT模块，DYNEX丹尼克斯IGBT模块，可控硅晶闸管模块，FERRAZ罗兰熔断器，BUSSMANN巴斯曼熔断器，SIBA西霸熔断器，WESTCODE西玛熔断器，HINODE日之出熔断器，CONCEPT驱动板，ABB变频器配件，ABB驱动板，ABB可控硅，ABB平板硅，西玛二极管，西玛可控硅等等。
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
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SKT340/12E SKT340/14E SKT340/16E SKT340/18E SKT491/04E SKT491/06E
SKT491/08E SKT491/10ESKT491/12E SKT491/14E SKT491/16E SKT491/18E
SKT551/08E SKT551/10E SKT551/12E SKT551/14ESKT551/16E SKT551/18E
SKT600/08E SKT552/16E SKT600/10E SKT600/12E SKT600/14E SKT600/16E
SKT600/18E SKT760/04E SKT760/06E SKT760/08E SKT760/10E SKT760/12E
SKT760/14E SKT760/16E SKT760/18E SKT1000/12E SKT1202/20E SKT2500/16E
SKT1000/16E SKT1000/18E SKT1000/20ESKT1000/22E SKT1000/24E
SKT1000/26E SKT1000/28E SKT1200/12E SKT1200/14E SKT1200/16E
SKT1200/18E SKT1400/26E SKT1400/28E SKT1400/30E SKT1400/32E
SKT1400/34E SKT1400/36ESKT1800/12E SKT1800/14E SKT1800/16E
SKT2000/22E SKT2000/24E SKT2000/26E SKT2000/28E SKT2400/12E
SKT2400/14E SKT2400/16E SKT2400/18E SKT1000/12E SKT1000/14E
赛米控模块西门康晶闸管SKET400/18E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
我们可以把从阴极向上数的***、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中***、第三层为两管交迭共用。可画出等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基极电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2 倍的集电极电流IC2 。因为BG2集电极与BG1基极相连，IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
