| 品牌：SEMIKRON | 型号：SKKT253/14E | 封装：模块 |
| 批号：18+,19+,20+ | 系列：西门康可控硅 | 断态电压：按型号区分 |
| 栅极触发电压(Vgt)：按型号区分 | 栅极触发电流(Igt)：按型号区分 | 保持电流最大值(Ih)：按型号区分 |
| 正向重复电压(Vdrm)：按型号区分 | 反向重复电压(Vrrm)：按型号区分V | 通态电流最大值(It(RMS))：按型号区分 |
| 不重复浪涌电流(Itsm)：按型号区分 | 工作温度范围：按型号区分 | 安装类型：按型号区分 |
| 应用领域：***/航天、 汽车电子、 安防设备、 医疗电子、 新能源 |
代理经销西门康模块/赛米控可控硅SKT1202/20E-北京中兴博瑞
北京中兴博瑞科技有限公司经营范围：
英飞凌IGBT模块，三菱IGBT模块，西门康IGBT模块，西门康IPM智能模块，富士IGBT模块，DYNEX丹尼克斯IGBT模块，可控硅晶闸管模块，FERRAZ罗兰熔断器，BUSSMANN巴斯曼熔断器，SIBA西霸熔断器，WESTCODE西玛熔断器，HINODE日之出熔断器，CONCEPT驱动板，ABB变频器配件，ABB驱动板，ABB可控硅，ABB平板硅，西玛二极管，西玛可控硅等等。
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
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西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
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SKT340/12E SKT340/14E SKT340/16E SKT340/18E SKT491/04E SKT491/06E
SKT491/08E SKT491/10ESKT491/12E SKT491/14E SKT491/16E SKT491/18E
SKT551/08E SKT551/10E SKT551/12E SKT551/14ESKT551/16E SKT551/18E
SKT600/08E SKT552/16E SKT600/10E SKT600/12E SKT600/14E SKT600/16E
SKT600/18E SKT760/04E SKT760/06E SKT760/08E SKT760/10E SKT760/12E
SKT760/14E SKT760/16E SKT760/18E SKT1000/12E SKT1202/20E SKT2500/16E
SKT1000/16E SKT1000/18E SKT1000/20ESKT1000/22E SKT1000/24E
SKT1000/26E SKT1000/28E SKT1200/12E SKT1200/14E SKT1200/16E
SKT1200/18E SKT1400/26E SKT1400/28E SKT1400/30E SKT1400/32E
SKT1400/34E SKT1400/36ESKT1800/12E SKT1800/14E SKT1800/16E
SKT2000/22E SKT2000/24E SKT2000/26E SKT2000/28E SKT2400/12E
SKT2400/14E SKT2400/16E SKT2400/18E SKT1000/12E SKT1000/14E
西门康模块赛米控可控硅SKT1202/20E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
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SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
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SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
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1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上***个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此半导体功率器件的研制及应用得到了飞速发展。半导体功率器件根据功能分，可以分为三类：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。快恢复二极管采用外延型PiN结构，其反向恢复时间短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右）。肖特基二极管是用金属（Ti、Ni等）代替了PN结中的P型半导体，为多子器件，具有***的正向压降和更好的开关特性，反向恢复时间很短（10~40ns），有利于控制开关损耗，但耐压较低一般低于200V，且反向漏电较大对温度敏感。
